![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
Taiwan Semiconductor TSM80N950CI C0G |
od PLN 5,99* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 9 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.585 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja... |
ROHM Semiconductor R6509END3TL1 |
od PLN 2,793* za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AON6276 |
od PLN 3,39* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 9,2 A SO-8 12 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 2,153* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 9 A DPAK (TO-252) 950 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na uk... |
|
od PLN 4,477* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 89 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD 10 MO (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 89 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1... |
|
od PLN 4,614* za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT12M80B |
od PLN 21,66* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,21* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,95* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,769* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,82* za szt. |
|
|
|
Infineon IPB025N08N3GATMA1 |
od PLN 13,77* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1 845,39* za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,84* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 9,2 A SO-8 12 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 2,381* za szt. |
|
|