| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-1659801 Nr producenta: PMPB11EN,115 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | N-Channel MOSFET, do 30 V. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 9 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | DFN2020 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 14,5 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1V | Maksymalna strata mocy: | 12,5 W | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -20 V, +20 V | Długość: | 2.1mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 1659801, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Nexperia, PMPB11EN,115 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |