| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2172636 Nr producenta: IRL3705NSTRLPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 89 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 10 MO Maksymalne napięcie progowe VGS = 2V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 89 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 10 MO | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2172636, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRL3705NSTRLPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |