| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2105041 Nr producenta: SQJ146ELP-T1_GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 88 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0043 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = 1.2 → 2.2V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 88 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PowerPAK SO-8L | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0043 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.2 → 2.2V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2105041, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQJ146ELPT1_GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |