 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 14,974*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 37,26*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5 A TO-252 250 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IPD5N25S3430ATMA1 |
od PLN 1,563*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPN60R600P7SATMA1 |
od PLN 1,078*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5 053,875*
za 25 szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,45*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 50 A QDPAK 600 V SMD 0.01 Ω (1 Oferta) Infineon IPDQ60R010S7 to tranzystor MOSFET z zasilaniem N, który zapewnia najlepszą wydajność w zastosowaniach z przełączaniem o niskiej częstotliwości. MOSFET jest zoptymalizowany pod kątem przełą... |
Infineon IPDQ60R010S7XTMA1 |
od PLN 29 097,9225*
za 750 szt. |
|
|
|
|
od PLN 30,20*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 523 A D2PAK-7 40 V SMD 0.00069 O. (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 523 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
od PLN 9,312*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 60,55*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5 A TO-263 850 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ... |
|
od PLN 4,852*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD60R600P7SAUMA1 |
od PLN 0,82*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1 866,625*
za 2 500 szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,03*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPC50N04S55R8ATMA1 |
od PLN 1,077*
za szt. |
|
|
