Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 578 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 5 A SOP 60 V SMD 0.048 omów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
ROHM Semiconductor
SP8K33HZGTB
od PLN 2,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,199Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W...
Infineon
IPW60R199CPFKSA1
od PLN 15,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-220AB 150 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Diodes
DMT15H035SCT
od PLN 2,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT38N60BC6
od PLN 25,88*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A TO-263 850 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SIHB6N80AE-GE3
od PLN 3,423*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 347W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 470mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 347W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFP16N60P3
od PLN 11,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4
onsemi
NTH4L060N065SC1
od PLN 32,951*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 180W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXTY14N60X2
od PLN 10,27*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A SOT-457T 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RUQ050N02HZGTR
od PLN 0,907*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-247 650 V 0.065 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTHL Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.065 Ω...
onsemi
NTHL065N65S3HF
od PLN 37,458*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W...
Infineon
IPP60R125CPXKSA1
od PLN 22,02*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A U-DFN2020 30 V SMD 0.075 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren...
Diodes
DMN3055LFDBQ-7
od PLN 2,51*
za 5 szt.
 
 opakowania
Infineon
IPZA60R120P7XKSA1
od PLN 11,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247AD 700 V 0.073 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SQW44N65EF-GE3
od PLN 19,608*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15,8A; 130W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja: un...
Toshiba
TK16N60W,S1VF(S
od PLN 8,70*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   871   872   873   874   875   876   877   878   879   880   881   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.