Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 578 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 47 A TDSON 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1
od PLN 2,536*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A IPAK (TO-251) 600 V 1.5 omów (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS™ CE jest odpowiedni do twardych i miękkich zastosowań przełączania, a jako nowoczesny superwęzeł zapewnia niskie straty przewodzenia i przełączania, poprawiając wydajność i ostatec...
Infineon
IPU60R1K5CEAKMA2
od PLN 1,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A D2PAK-7L 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = D2PAK-7L Typ montażu = Montaż powierzchniowy
onsemi
NTBG060N065SC1
od PLN 27,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; 400W; TO220AB; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,175Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40...
IXYS
IXFP24N60X
od PLN 13,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A TO-220AB 850 V 0.95 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.95...
Vishay
SiHP6N80AE-GE3
od PLN 3,821*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 166W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR30N60P
od PLN 32,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-220AB 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...
Vishay
SIHP054N65E-GE3
od PLN 47,828*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSO604NS2XUMA1
od PLN 9 513,625*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 160mA; Idm: 0,5A; 1W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...
Microchip Technology
VN2460N3-G
od PLN 5,82*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A Super-247 500 V 0.1 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V Typ opakowania = Super-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Vishay
SiHFPS40N50L-GE3
od PLN 20,759*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,175Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W...
IXYS
IXFA24N60X
od PLN 14,25*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD5N25S3430ATMA1
od PLN 6 745,90*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 139W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,199Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W...
Infineon
IPB60R199CPATMA1
od PLN 7,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247 650 V 0.034 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.03...
Infineon
IMW65R027M1HXKSA1
od PLN 48,309*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 14A; 300W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTQ14N60P
od PLN 10,72*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   871   872   873   874   875   876   877   878   879   880   881   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.