 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 69,29*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5,2 A TSSOP-8 20 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSSOP-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 1,58*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,926*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 17,94*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5 A U-DFN2020 30 V SMD 0.075 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren... |
|
od PLN 0,927*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 14,41*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 26,535*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT6021SFLLG |
od PLN 78,45*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,98*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-220AB 600 V 0,052 oma (2 ofert) Tranzystor MOSFET z serii Vishay EF z diodą Fast Body jest wyposażony w technologię 4. Generacji serii E. Zmniejszyła straty związane z przełączaniem i przewodnictwem.Niska wartość FOM Ron x Qg Nis... |
|
od PLN 13,304*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STN1NK60Z |
od PLN 0,83*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5,1 A SO-8 55 V SMD 0.5 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
od PLN 6,37*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STP45N60DM6 |
od PLN 17,34*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 47 A TDSON 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 47 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IAUC41N06S5N102ATMA1 |
od PLN 1,283*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,58*
za szt. |
|
|
