Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 578 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 45 A DO-263S 200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = DO-263S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
RCJ451N20TL
od PLN 6 648,95*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 33W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Pola...
Infineon
IPA60R250CPXKSA1
od PLN 6,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-220 FP 100 V 0.0081 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = IPA Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0081 Ω...
Infineon
IPA082N10NF2SXKSA1
od PLN 2,947*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polary...
ST Microelectronics
STP11NM60
od PLN 7,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247 650 V 0.059 Ω (2 ofert) 
MDMESH M6 MOSFET KANAŁ NSTMicroelectronics wysokiego napięcia N-kanałowy Power MOSFET jest częścią serii MDmesh DM6 Fast Recovery Diode. W porównaniu z poprzednią generacją MDmesh, DM6 łączy bardzo...
ST Microelectronics
STWA68N65DM6
od PLN 29,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W ...
Infineon
IPI60R250CPAKSA1
od PLN 7,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 30 W 7,7 milioma (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie DPAK z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Odpowiedni do zast...
onsemi
NVD5C478NLT4G
od PLN 6 793,675*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W...
Infineon
IPB60R165CPATMA1
od PLN 15,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 49.1 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0.0075 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 49.1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Diodes
DMT47M2SFVWQ-13
od PLN 1,984*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18F60B
od PLN 19,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...
ST Microelectronics
STFH13N60M2
od PLN 5,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247-4 1700 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Microchip Technology
MSC035SMA170B4
od PLN 149,242*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 208W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB190A60L
od PLN 10,66*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD135N08N3GATMA1
od PLN 4 188,275*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6029SLLG
od PLN 56,11*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   871   872   873   874   875   876   877   878   879   880   881   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.