| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 2,16* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 729,73* za 50 szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,03* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5 A DPAK (TO-252) 200 V SMD 600 MO (1 Oferta) Jednokanałowy tranzystor Infineon 200V HEXFET Power MOSFET w zestawie D-Pak.Płaska struktura komórek dla szerokiego SOA Zoptymalizowane pod kątem najszerszej dostępności od partnerów dystrybucyjnyc... |
|
od PLN 1,865* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,59* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 478 A D2PAK-7 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 478 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1 |
|
od PLN 12,111* za szt. |
|
|
|
Infineon IPZA60R099P7XKSA1 |
od PLN 12,15* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 5 A SO-8 150 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li... |
|
od PLN 1,57* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STD4NK60Z-1 |
od PLN 1,17* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 48 A TO-247 1700 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Materiał tranzystora = SiC |
Microchip Technology MSC035SMA170B |
od PLN 144,792* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 25,16* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,29* za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT6038SLLG |
od PLN 46,03* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 479 A TDSON 25 V SMD 0.00045 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 479 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ... |
Infineon BSC004NE2LS5ATMA1 |
od PLN 6,892* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 38,79* za szt. |
|
|