Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

MOSFET N-kanałowy 5 A TO-263 850 V SMD


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2688295
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     SIHB6N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V
Typ opakowania = TO-263
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Materiał tranzystora = Krzem
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
850 V
Typ opakowania:
TO-263
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
3
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Liczba elementów na układ:
4
Materiał tranzystora:
Krzem
Dalsze słowa kluczowe: 2688295, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SIHB6N80AEGE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 4,922*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5 szt.
PLN 10,274*
PLN 12,637
za szt.
od 10 szt.
PLN 9,196*
PLN 11,311
za szt.
od 25 szt.
PLN 8,763*
PLN 10,778
za szt.
od 50 szt.
PLN 8,283*
PLN 10,188
za szt.
od 100 szt.
PLN 6,775*
PLN 8,333
za szt.
od 500 szt.
PLN 5,542*
PLN 6,817
za szt.
od 15000 szt.
PLN 4,922*
PLN 6,054
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.