Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 813 ofert spośród 5 039 973 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 10A; Idm: 24A; 150W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motory...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
od PLN 25,9359*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 6 700 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 700 W
Infineon
FS150R12KT3BOSA1
od PLN 4 136,12*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 800V; 7A; 200W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,44Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W P...
IXYS
IXFA7N80P
od PLN 7,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 35 A Uce 650 V 6 DIP26 kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = DIP26 Typ montażu = Otwór prz...
onsemi
NXH35C120L2C2SG
od PLN 629,652*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 29A; Idm: 80A; 207W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 207W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R75MT12D
od PLN 35,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 240 A Uce 1200 V Moduł 1,1 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 240 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 1,1 kW Typ opakowania = Moduł Typ montażu =...
Infineon
FF200R12KE4HOSA1
od PLN 346,284*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 32A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...
Microchip Technology
APT5015BVFRG
od PLN 54,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 101 A Uce 1000 V 2 Q2BOOST - Case 180BG (sworznie bez Pb i bez Halide) 79 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 101 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 79 W
onsemi
NXH450B100H4Q2F2PG
od PLN 564,307*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 29 A TO-247 1200 V 0,11 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET z węglika krzemu ON Semiconductor pracuje z 17 amperami i 1200 woltami. Może być stosowany w zasilaczu bezprzerwającym, przetworniku DC/DC, przemienniku mocy.Odpływ o pojemności 1...
onsemi
NTHL160N120SC1
od PLN 14,067*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 200 A Uce 1200 V Moduł 680 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 680 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = ...
Infineon
FS150R12PT4BOSA1
od PLN 4 655,052*
za 6 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 900V; 52A; 1250W; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...
IXYS
IXFB52N90P
od PLN 105,51*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 37 A Uce 600 V 7 115 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 37 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 7
Infineon
FP30R06W1E3BOMA1
od PLN 142,497*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 30A; 113,6W; TO247-4 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Czas gotowości: 18ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C3M0075120K
od PLN 47,08*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = EASY1B Typ kanału = N
Infineon
FP25R12W1T7B11BPSA1
od PLN 155,545*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 58A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryz...
Microchip Technology
APT50M80LVFRG
od PLN 125,04*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   471   472   473   474   475   476   477   478   479   480   481   ..   1388   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.