Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 902 ofert spośród 4 919 109 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 300 A Uce 600 V 2 94x48mm Dwa 2.21 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 2.21 kW Typ opakowania = 94x48mm Konfiguracja t...
Mitsubishi
CM300DY-13T300G
od PLN 646,936*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 91A; 200W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120B
od PLN 54,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 150 A Uce 600 V 2 94x34mm Dwa 1,09 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = 94x34mm Konfiguracja tranzystor...
Mitsubishi
CM150DY-13T300G
PLN 454,854*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVFRG
od PLN 52,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 22 A Uce 600 V Moduł 81 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 22 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 81 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP15R06W1E3BOMA1
od PLN 120,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22LVRG
od PLN 78,87*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 300 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł...
Mitsubishi
CM300DX -24T 300G
od PLN 486,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 90A; 200W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: MICROCHIP (MICROSEMI...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120B4
od PLN 39,50*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 300 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Mitsubishi Electric 1200V podwójnego modułu IGBT ma płaską podstawę i sześć sterowników na moduł. Ma 300A ciągłego prądu kolektora i nadaje się do twardych przełączania i miękkich aplikacji, takich...
Mitsubishi
CM300DY-24T 300G
od PLN 839,338*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 34A; Idm: 90A; 270W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 270W Polary...
ST Microelectronics
SCT30N120
od PLN 73,854*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 2,4 kA Uce 1200 V PRIME3+ 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 2,4 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu =...
Infineon
SP005545663
PLN 4 185,025*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 67A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M38BVRG
od PLN 52,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 240 A Uce 1200 V Moduł 1,1 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 240 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 1,1 kW Typ opakowania = Moduł Typ montażu =...
Infineon
FF450R07ME4B11BPSA1
od PLN 422,618*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 300V; 40A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M85BVRG
od PLN 44,41*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 303 A Uce 1000 V 4 Q2PACK (bez zawartości Pb/bez zawartości Halidu) 592 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 303 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 592 W Typ opakowania = Q2PACK (bez zawartości...
onsemi
NXH350N100H4Q2F2P1G
PLN 606,469*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   471   472   473   474   475   476   477   478   479   480   481   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.