Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 813 ofert spośród 5 039 973 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 175W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Po...
Genesic Semiconductor
G3R160MT17D
od PLN 31,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 303 A Uce 1000 V 4 Q2PACK (bez zawartości Pb/bez zawartości Halidu) 592 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 303 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 592 W Typ opakowania = Q2PACK (bez zawartości...
onsemi
NXH350N100H4Q2F2P1G
od PLN 656,275*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 40A; 125W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pola...
Microchip Technology
MSC180SMA120S
od PLN 36,70*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 20 A Uce 1200 V 3-fazy kanał: N 156 W (1 Oferta) 
Moduły IGBT, HY Electronic. Ta gama modułów IGBT firmy HY Electronic jest dostarczana w standardowych pakietach z końcówkami lutowniczymi przeznaczonymi do montażu na płytkach drukowanych. Do odpow...
HY Electronic
HYG15P120A1K1
od PLN 1 371,68406*
za 18 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 333W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R40MT12D
od PLN 54,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 300 A Uce 1200 V 2 AG-ECONOD Szereg 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = Mo...
Infineon
FF300R12ME7B11BPSA1
od PLN 500,808*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 20A; Idm: 80A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pola...
Microchip Technology
APT5028BVRG
od PLN 72,77*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 1200 V 2 ECONOD Dwa kanał: N 20 mW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Podwójna Typ kanału = N K...
Infineon
IFF450B12ME4PB11BPSA1
od PLN 746,002*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 5A; Idm: 12A; 68W (2 ofert) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 68W Polar...
Microchip Technology
MSC750SMA170B4
od PLN 20,059*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 35 A Uce 1200 V 7 EASY2B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = EASY2B Typ kanału = N
Infineon
FP35R12W2T4PB11BPSA1
od PLN 2 932,056*
za 18 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 45A; 153W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motory...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
od PLN 43,6709*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 20 Uce 600 V 6 Moduł PowerDIP 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł PowerDIP Typ montażu = Otwór przezierny Typ kanału = N Konfiguracja ...
Mitsubishi
PSS20S92F6-AG
od PLN 774,55*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 222A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
Microchip Technology
MSC025SMA120S
od PLN 156,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 300 A Uce 600 V 2 94x48mm Dwa 2.21 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 2.21 kW Typ opakowania = 94x48mm Konfiguracja t...
Mitsubishi
CM300DY-13T300G
od PLN 6 459,89*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 30A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
Microchip Technology
APT5017SVRG
od PLN 55,24*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   471   472   473   474   475   476   477   478   479   480   481   ..   1388   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.