Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 902 ofert spośród 4 919 109 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 29 A TO-247 1200 V 0,11 oma (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET z węglika krzemu ON Semiconductor pracuje z 17 amperami i 1200 woltami. Może być stosowany w zasilaczu bezprzerwającym, przetworniku DC/DC, przemienniku mocy.Odpływ o pojemności 1...
onsemi
NTHL160N120SC1
od PLN 17,046*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-62MM Szereg kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = AG-62MM Typ kanału = N Konfig...
Infineon
FF600R12KT4HOSA1
od PLN 748,331*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 4,9A; 69W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 20ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 4,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpr...
Wolfspeed
C2M1000170D
od PLN 26,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; 520W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0045170D
od PLN 357,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 295 A Uce 1200 V Moduł 1,05 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 295 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 1,05 kW Typ opakowania = Moduł Typ montażu ...
Infineon
FD200R12KE3HOSA1
od PLN 440,796*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 45A; 175W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Polar...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
od PLN 41,90*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 37 A Uce 600 V 7 115 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 37 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 115 W
Infineon
FP30R06W1E3BOMA1
od PLN 136,967*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 40A; 127W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 127W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC180SMA120B
od PLN 32,01*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 ECONOD Dwa kanał: N 20 mW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = ECONOD Typ kanału = N K...
Infineon
IFF600B12ME4PB11BPSA1
od PLN 903,929*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA170B
od PLN 191,40*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 1200 V 2 ECONOD Dwa kanał: N 20 mW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = ECONOD Typ kanału = N Konfigur...
Infineon
IFF450B12ME4PB11BPSA1
od PLN 747,482*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 4A; Idm: 12A; 63W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC750SMA170S
od PLN 22,96*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 300 A Uce 1200 V 2 AG-ECONOD Szereg 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = AG-ECONOD Typ montażu = Montaż...
Infineon
FF300R12ME7B11BPSA1
od PLN 511,847*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 17A; 103W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 103W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3160KLGC11
od PLN 45,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 39 A Uce 1200 V 7 175 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 39 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 175 W
Infineon
FP25R12W2T4B11BOMA1
od PLN 202,294*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   471   472   473   474   475   476   477   478   479   480   481   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.