Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 660 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 200 A Uce 600 V 6 EconoPACK 600 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = EconoPACK
Infineon
FS200R06KE3BOSA1
od PLN 933,394*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 170A; 715W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W Po...
IXYS
IXTQ170N10P
od PLN 27,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 1700 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = PRIME3+ Typ kanału = N...
Infineon
FF1800R17IP5PBPSA1
od PLN 3 886,034*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 69A; 500W; TO268 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Montaż: SMD Obu...
IXYS
IXTT69N30P
od PLN 27,45*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 150 A Uce 600 V 2 94x34mm Dwa 1,09 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = 94x34mm Konfiguracja tranzystor...
Mitsubishi
CM150DY-13T300G
od PLN 426,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 14A; Idm: 44A; 125W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: ...
Littelfuse
LSIC1MO120E0160
od PLN 34,06*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 120 A Uce 950 V 6 AG-EASY3B 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = AG-EASY3B Typ montażu = Montaż...
Infineon
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1
od PLN 704,685*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Ł...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R5BVRG
od PLN 143,87*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 200 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Mitsubishi Electric 1200V podwójnego modułu IGBT ma płaską podstawę i sześć sterowników na moduł. Posiada 200A ciągłego prądu kolektora i nadaje się do twardych przełączania i miękkich aplikacji, t...
Mitsubishi
CM200DY-24T 300G
od PLN 683,635*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 150V; 180A; 800W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 800W ...
IXYS
IXTK180N15P
od PLN 40,77*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 2300 V PRIME3+ 2700 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2300 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2700 kW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu...
Infineon
SP005678645
od PLN 19 752,31602*
za 3 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 500V; 100A; 1890W; 200ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 18...
IXYS
IXFB100N50P
od PLN 88,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 16 A Uce 600 V Moduł 68 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 16 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 68 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP10R06W1E3BOMA1
od PLN 120,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 45A; 153W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motory...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
od PLN 53,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Trójfazowy prostownik zasilający EasyPIM firmy Infineon, zintegrowany moduł IGBT z technologią TRENCHSTOP IGBT7. Ma napięcie emitera kolektora 1200 V i prąd do przodu 15 A. Jest on używany w pomocn...
Infineon
FP15R12W1T4PBPSA1
od PLN 161,029*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   471   472   473   474   475   476   477   478   479   480   481   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.