Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 199 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 20 A Uce 1200 V 7 105 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 105 W
Infineon
FP10R12W1T4BOMA1
od PLN 149,832*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45SVFRG
od PLN 53,04*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 300 A Uce 600 V 2 122x62mm Dwa 1,15 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 1,15 kW Typ opakowania = 122x62mm Konfiguracja ...
Mitsubishi
CM300DX-13T300G
od PLN 5 601,12*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 300V; 69A; 500W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 330ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 69A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Po...
IXYS
IXTQ69N30P
od PLN 25,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Moduł Mitsubishi Electric 1200V IGBT ma płaską podstawę i sześć sterowników na moduł z przerwą IGBT. Posiada 100A ciągłego prądu kolektora i nadaje się do twardych przełączania i miękkich aplikacji...
Mitsubishi
CM100TX-24T 300G
od PLN 4 220,02107*
za 9 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6SVFRG
od PLN 79,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 200 A Uce 750 V AG-EASY2B-3 (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Typ opakowania = AG-EASY2B-3 Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej
Infineon
FF300R08W2P2B11ABOMA1
od PLN 248,423*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 34A; Idm: 90A; 270W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 270W Polary...
ST Microelectronics
SCTWA30N120
od PLN 90,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 20 A Uce 1200 V Moduł 105 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 105 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
FP10R12W1T4B3BOMA1
od PLN 131,086*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45BVRG
od PLN 43,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 300 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 300 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł...
Mitsubishi
CM300DX -24T 300G
od PLN 4 286,94003*
za 9 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 500V; 16A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFA16N50P
od PLN 10,47*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 101 A Uce 1000 V 2 Q2BOOST - Case 180BG (sworznie bez Pb i bez Halide) 79 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 101 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2
onsemi
NXH450B100H4Q2F2PG
od PLN 734,371*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 100A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11LVRG
od PLN 158,53*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 22 A Uce 600 V Moduł 81 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 22 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 81 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mon...
Infineon
FP15R06W1E3BOMA1
od PLN 120,40*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   471   472   473   474   475   476   477   478   479   480   481   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.