Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 6 700 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445403
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS150R12KT3BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 700 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
200 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
700 W
Liczba tranzystorów:
6
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt, 2445403, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS150R12KT3BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 4 137,09*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 413,709* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 4 396,70*
PLN 5 407,941
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 4 328,74*
PLN 5 324,3502
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 4 251,34*
PLN 5 229,1482
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 4 201,03*
PLN 5 167,2669
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 4 137,09*
PLN 5 088,6207
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.