Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 145 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 441 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 145 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 441 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = ... |
ST Microelectronics STGWA100H65DFB2 |
od PLN 23,487*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 53A, ISOTOP (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STE53NC50, Ciągły prąd drenu (Id)=53 A, Czas narastania=70 ns, Czas opadania=38 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=46 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 149,67*
za szt. |
| |
|
Infineon 1ED44175N01BXTSA1 |
od PLN 1,938*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 695W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 95ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 75,18*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 5A, TO-220AB (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF830APBF, Ciągły prąd drenu (Id)=5 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 1,78*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 38,656*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 400W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 440A Czas załączania: 92ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 65,09*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 60A, TO-3P (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFQ60N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=60 A, Czas narastania=16 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=37 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 23,27*
za szt. |
| |
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP100R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 589,589*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1,63kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 900A Czas załączania: 140ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 77,88*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 64A, TO-264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK64N50Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=64 A, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=46 ns, Czas opóźnienia włączenia=36 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 79,62*
za szt. |
| |
IGBT Ic 146 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 446 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 146 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 446 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ... |
|
od PLN 125,551*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 40A; 380W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 52ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 30,67*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 78A, TO-264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK78N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=78 A, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 18,613*
za szt. |
| |
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 357 W (1 Oferta) Bramka STMicroelectronics Field-stop, 650 V, 75 A, szybka seria IGBT HB2 w pakiecie DO 247 długich odprowadzeń.Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C. Niskie VCE (SAT) = 1.55 V (typowo) PRZ... |
ST Microelectronics STGWA75H65DFB2 |
od PLN 18,68*
za szt. |
| |
|
