Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 818 ofert spośród 5 018 200 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 145 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 441 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 145 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 441 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = ...
ST Microelectronics
STGWA100H65DFB2
od PLN 23,487*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 53A, ISOTOP (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STE53NC50, Ciągły prąd drenu (Id)=53 A, Czas narastania=70 ns, Czas opadania=38 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=46 ns, Napięcie bramka-źródło=...
brak danych
STE53NC50
od PLN 149,67*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 11,9 A Uce 11,4 V PG-SOT23-6-3 Wspólny nadajnik kanał: N 500 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 11,9 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 11,4 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 500 mW Typ opakowania = PG-SOT23-6-3 Typ kana...
Infineon
1ED44175N01BXTSA1
od PLN 1,938*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 695W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 95ns Czas wyłączani...
IXYS
IXXX100N60C3H1
od PLN 75,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 5A, TO-220AB (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF830APBF, Ciągły prąd drenu (Id)=5 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=...
Vishay
IRF830APBF
od PLN 1,78*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 660 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 660 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N L...
onsemi
AFGY100T65SPD
od PLN 38,656*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 400W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 440A Czas załączania: 92ns Czas wyłączani...
IXYS
IXXR100N60B3H1
od PLN 65,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 60A, TO-3P (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFQ60N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=60 A, Czas narastania=16 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=37 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źródło...
IXYS
IXFQ60N50P3
od PLN 23,27*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP100R12N3T7B11BPSA1
od PLN 589,589*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1,63kW; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 900A Czas załączania: 140ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXXK200N60B3
od PLN 77,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 64A, TO-264 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK64N50Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=64 A, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=46 ns, Czas opóźnienia włączenia=36 ns, Napięcie bramka-źródło...
IXYS
IXFK64N50Q3
od PLN 79,62*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 146 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 446 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 146 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 446 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ...
Vishay
VS-GT90DA60U
od PLN 125,551*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 40A; 380W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 52ns Czas wyłączania...
IXYS
IXGH40N120C3
od PLN 30,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 78A, TO-264 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK78N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=78 A, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło...
IXYS
IXFK78N50P3
od PLN 18,613*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 357 W (1 Oferta) 
Bramka STMicroelectronics Field-stop, 650 V, 75 A, szybka seria IGBT HB2 w pakiecie DO 247 długich odprowadzeń.Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C. Niskie VCE (SAT) = 1.55 V (typowo) PRZ...
ST Microelectronics
STGWA75H65DFB2
od PLN 18,68*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   341   342   343   344   345   346   347   348   349   350   351   ..   1388   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.