Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 902 ofert spośród 4 918 852 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 36A, TO-247 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH36N50P, Ciągły prąd drenu (Id)=36 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=21 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=75 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródło...
IXYS
IXFH36N50P
od PLN 34,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 30A; 200W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 330A Czas załączania: 70ns Czas wyłączani...
IXYS
IXGR55N120A3H1
od PLN 59,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1,63kW; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 900A Czas załączania: 140ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXXK200N60B3
od PLN 76,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 44A, TO-247 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH44N50Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=44 A, Czas narastania=13 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=37 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło...
IXYS
IXFH44N50Q3
od PLN 53,07*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 141 A Uce 1200 V TO-247AC 543 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 141 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 543 W Typ opakowania = TO-247AC
Infineon
AUIRG4PH50S
od PLN 33,624*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 200A; 1,63kW; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 900A Czas załączania: 143ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXXK200N60C3
od PLN 76,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 45A, ISOPLUS247 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFR64N50Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=45 A, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=46 ns, Czas opóźnienia włączenia=36 ns, Napięcie bramka-źródło...
IXYS
IXFR64N50Q3
od PLN 89,39*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 652 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 652 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2
Infineon
IKY50N120CH3XKSA1
od PLN 37,043*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 250W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 96A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania: 4...
IXYS
IXGA24N120C3
od PLN 11,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 50A, TO-247 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH50N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=53 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródło...
IXYS
IXFH50N50P3
od PLN 48,55*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 134 W (2 ofert) 
Tranzystory IGBT ON Semiconductor zapewniają optymalną wydajność falownika słonecznego, zasilacza UPS, spawarki, teletelekomunikacji, systemu ESS i systemu PFC, w których istotne są niskie straty p...
onsemi
FGHL50T65SQDT
od PLN 11,952*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 53A, ISOTOP (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=STE53NC50, Ciągły prąd drenu (Id)=53 A, Czas narastania=70 ns, Czas opadania=38 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=46 ns, Napięcie bramka-źródło=...
brak danych
STE53NC50
od PLN 149,39*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 652 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 652 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2
Infineon
IKY50N120CH3XKSA1
od PLN 30,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 300A; 2,3kW; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie: 1075A Czas załączania: 128ns Czas wyłącza...
IXYS
IXXX300N60C3
od PLN 99,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 5A, TO-220AB (4 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRF830APBF, Ciągły prąd drenu (Id)=5 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=...
Vishay
IRF830APBF
od PLN 1,75*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   341   342   343   344   345   346   347   348   349   350   351   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.