Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-252 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR3915TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=51 ns, Czas opadania=100 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=83 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.4 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 1,60*
za szt. |
| |
|
Infineon FP150R12N3T7BPSA1 |
PLN 494,965*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 460A Czas załączania: 65ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 61,20*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-252 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR4105ZTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=40 ns, Czas opadania=24 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 1,541*
za szt. |
| |
IGBT Ic 145 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 441 W (2 ofert) Bramka STMicroelectronics Field-stop, 650 V, 100 A, szybka seria IGBT HB2 w pakiecie DO 247 długich odprowadzeń.Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C. Niskie VCE (SAT) = 1.55 V (typowo) PR... |
ST Microelectronics STGWA100H65DFB2 |
od PLN 17,21*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 695W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 370A Czas załączania: 92ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 74,61*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-263 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ34NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.9 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 1,81*
za szt. |
| |
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) Moduł Infineon 15 A PIM IGBT charakteryzuje się większą gęstością mocy i ma niższe koszty systemu. Ma niskie napięcie stanu VCESAT i VF.Lepsza kontrola nad obrazem dv/dt Zoptymalizowane straty przy... |
Infineon FP15R12W1T7B11BOMA1 |
od PLN 152,639*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 71,35*
za szt. |
| |
IGBT Ic 139 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 658 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 139 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 658 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =... |
|
od PLN 110,97*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 7,56*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 42A, TO-252 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR2905TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=42 A, Czas narastania=84 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 1,96*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 938 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2 |
Infineon IKY75N120CH3XKSA1 |
od PLN 35,88*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 7,00*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,835*
za szt. |
| |
|
