Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 15 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.07 mW (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Maksymalna strata mocy = 0.07 mW Typ opakowania = SDIP2B Liczba styków =... |
ST Microelectronics STGIB10CH60TS-LZ |
od PLN 31,56*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 280A Czas załączania: 44ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 22,38*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 220mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138G, Ciągły prąd drenu (Id)=220 mA, Czas narastania=9 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.5 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
|
od PLN 0,87*
za szt. |
| |
IGBT Ic 11,7 A Uce 600 V 1 PG-TO220-3 30 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 11,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 30 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montaż... |
|
od PLN 3,282*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 30A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BUZ11-NR4941, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=70 ns, Czas opadania=130 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=180 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,213*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 3A, SO-8 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7103TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=3 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 0,90*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 32,936*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 22,42*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,08*
za szt. |
| |
IGBT Ic 15 A Uce 650 V 1 TO-220 kanał: N 33,3 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 33,3 W Typ opakowania = TO-220 Typ monta... |
|
od PLN 4,821*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 45ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 24,25*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 550V, 12A, TO-220 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=STP12NM50, Ciągły prąd drenu (Id)=12 A, Czas narastania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłow... |
|
od PLN 15,16*
za szt. |
| |
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 357 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 115 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 357 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 4 |
ST Microelectronics STGW75H65DFB2-4 |
od PLN 25,163*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 50A; 460W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 65,48*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 1.9A, SOT-223 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFL014NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=1.9 A, Czas narastania=7.1 ns, Czas opadania=3.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.6 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 2,48*
za szt. |
| |
|
