Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
PLN 27,323*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 56A; 484W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 56A Prąd kolektora w impulsie: 450A Czas załączania: 143ns Czas wyłączan... |
|
od PLN 82,54*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 104A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRL2505PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=104 A, Czas narastania=160 ns, Czas opadania=84 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=43 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 4,37*
za szt. |
| |
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWSX2TS65DGC13 |
PLN 16,451*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 69ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 26,77*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 110A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF3205PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=110 A, Czas narastania=101 ns, Czas opadania=65 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=50 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 1,649*
za szt. |
| |
|
Infineon IKQ75N120CS6XKSA1 |
od PLN 28,758*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 69ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 33,41*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,795*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 55A; 460W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 55A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 70ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 70,22*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 131A, D2PAK (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1405STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=131 A, Czas narastania=190 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=130 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramk... |
|
od PLN 4,12*
za szt. |
| |
IGBT Ic 140 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 962 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 140 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 962 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = O... |
Infineon IKQ140N120CH7XKSA1 |
od PLN 47,228*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 135A, D2PAK (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF2805STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=135 A, Czas narastania=120 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=68 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka... |
|
od PLN 8,06*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 17,88*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP150R12N3T7PB11BPSA1 |
od PLN 787,64*
za szt. |
| |
|
