Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 20A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH20N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=43 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 14,37*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 29,333*
za szt. |
| |
|
Infineon FP100R12N2T7BPSA1 |
PLN 398,486*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO220AB (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 66ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 14,01*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 20A, TO-247 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP460LCPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=20 A, Czas narastania=77 ns, Czas opadania=43 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 7,93*
za szt. |
| |
|
Infineon FP100R12N2T7BPSA1 |
od PLN 523,519*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 96A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 20,38*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 26A, TO-220 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFP26N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=26 A, Czas narastania=7 ns, Czas opadania=5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=38 ns, Czas opóźnienia włączenia=21 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 20,11*
za szt. |
| |
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS100R12N2T7B15BPSA1 |
od PLN 471,382*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 123ns Czas wyłączan... |
|
od PLN 52,68*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 26A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH26N50P, Ciągły prąd drenu (Id)=26 A, Czas narastania=33 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=16 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 18,73*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1,36kW; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie: 700A Czas załączania: 0,1µs Czas wyłączani... |
|
od PLN 25,46*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 30A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH30N50Q3, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=14 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 33,79*
za szt. |
| |
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V PG-TO247-3-46 652 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 652 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 |
Infineon IKQ50N120CH3XKSA1 |
od PLN 33,867*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 250W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 96A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 16,86*
za szt. |
| |
|
