 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 0.5 Ω (1 Oferta) MDMESH M6 MOSFET KANAŁ NTechnologia STMicroelectronics MDmesh M6 wykorzystuje najnowsze osiągnięcia w zakresie dobrze znanej i skonsolidowanej rodziny MDmesh tranzystorów MOSFET SJ. Opiera się on n... |
ST Microelectronics STD11N60M6 |
od PLN 2,651*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-247AC 200 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 6,767*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8,4 A TO-220 600 V 0.168 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
|
od PLN 6,372*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 39 496,96*
za 4 000 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 0.391 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma typ pakietu DPAK (TO-252) z pojedynczą konfiguracją.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (CISS) Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia ... |
|
od PLN 3,906*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 7,745*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8,4 A TO-247AC 600 V 0.168 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET Vishay serii EF z diodą szybkiego ciała ma TYP OPAKOWANIA TO-247AC.Technologia czwartej generacji serii E. Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczen... |
|
od PLN 5,638*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,44*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 85 A PQFN 3 x 3 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 85 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła... |
Infineon IQE065N10NM5CGATMA1 |
od PLN 16 766,75*
za 5 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 41,38*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 850 V SMD 0.45 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
|
od PLN 6,488*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology APT11N80BC3G |
od PLN 18,59*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 76 A TO-247 600 V 0.037 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 76 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
od PLN 27,72*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 8,5 A DFN2020 25 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 0,486*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 85 A Super-247 700 V 0.029 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 85 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0... |
|
od PLN 1 045,31*
za 25 szt. |
|
|
