Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 936 ofert spośród 5 040 365 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-247 650 V 0.0193 Ω (2 ofert) 
ON Semiconductor MOSFET to nowa rodzina tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, które wykorzystują technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na obciążenia i niższą ...
onsemi
NTHL019N65S3H
od PLN 57,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2912
od PLN 10,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 73 A DPAK (TO-252) 80 V SMD 0.0096 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET Infineon z zasilaniem N-Channel. Ten tranzystor MOSFET doskonale nadaje się do przełączania wysokiej częstotliwości.Zoptymalizowana technologia przetworników DC/DC Kanał N, poziom...
Infineon
IPD096N08N3GATMA1
od PLN 2,111*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 63ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W...
IXYS
IXTP170N075T2
od PLN 8,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 850 V SMD 0.45 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Vishay
SIHD11N80AE-T1-GE3
od PLN 10 937,52*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 80 A TO-220 80 V 0.0052 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Infineon
IPP052N08N5AKSA1
od PLN 2,608*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 80W Polaryzacja: unipolarny R...
IXYS
IXTU4N70X2
od PLN 6,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-247 650 V Pojedynczy 595 W 27.4 mΩ (2 ofert) 
SUPERFET III MOSFET marki ON Semiconductor to zupełnie nowa rodzina elementów MOSFET SJ wysokiego napięcia, która korzysta z technologii równoważenia obciążenia, aby zapewnić doskonałą rezystancję ...
onsemi
NTHL027N65S3HF
od PLN 40,19*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP062NE7N3GXKSA1
od PLN 3,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A Picostar YSE 6 52 A SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 52 A Typ opakowania = Picostar YSE 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Texas Instruments
CSD83325LT
od PLN 478,70*
za 250 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,52A; Idm: 9,6A; 85W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQP2N80
od PLN 3,12*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 80 A TO-220AB 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRF8010PBF
od PLN 3,986*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-247-4 650 V 0.0193 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTH4LN019N Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
onsemi
NTH4LN019N65S3H
od PLN 29 909,052*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 80A; 200W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Pol...
Infineon
IRF3007PBF
od PLN 3,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A QFN 12 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = QFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Renesas Electronics
ISL6144IRZA
od PLN 885,06*
za 60 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   971   972   973   974   975   976   977   978   979   980   981   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.