Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 994 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 5,8A; Idm: 23,2A; 30W (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: unip...
Toshiba
TK6A65W,S5X(M
od PLN 3,37*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC072N08NS5ATMA1
od PLN 14,545*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 22,4A; 195,3W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 22,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 195...
Infineon
IPI65R150CFDXKSA1
od PLN 8,18*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A PowerPAK 8 x 8L 60 V SMD 0.033 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = N-Channel 60 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Vishay
SQJ164ELP-T1_GE3
od PLN 1,758*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 4,5A; 37W; IPAK SL (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: IPAK SL Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 37W Pol...
Infineon
IPS65R950C6AKMA1
od PLN 2,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 0.6 Ω (2 ofert) 
The ON Semiconductor SUPERFET III series MOSFET enables to make more efficient, compact, cooler and more robust applications because of its remarkable performance in switching power applications su...
onsemi
NTD600N80S3Z
od PLN 4,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 3,9A; Idm: 28A; 167W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 167W Polaryzacja: unip...
Bridgelux
BXP7N65P
od PLN 1,48*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 78 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 78 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Infineon
BSC0904NSIATMA1
od PLN 2,176*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 52A; 660W; TO247-3; 435ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 435ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W...
IXYS
IXTH52N65X
od PLN 29,03*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 74,7 A TO-247 950 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 74,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 3
Infineon
SP005547003
od PLN 34,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 22A; 390W; TO247-3; 145ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 145ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 39...
IXYS
IXFH22N65X2
od PLN 14,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD Pojedynczy 66 W 5 mΩ (1 Oferta) 
Układ MOSFET zasilania TrenchFET®
Vishay
SQJA76EP-T1_GE3
od PLN 2,144*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 227W P...
Infineon
IPB65R045C7ATMA1
od PLN 43,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 31,2A; 277,8W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 31,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 277...
Infineon
IPB65R110CFDATMA1
od PLN 16,78*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 78.4 A PowerPAK SO-8 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 78.4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SiR586DP-T1-RE3
od PLN 3,84*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   971   972   973   974   975   976   977   978   979   980   981   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.