Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
IPB65R190CFDATMA1
od PLN 8,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 72 A TO-262 200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = TO-262 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IRFS4127TRLPBF
od PLN 8,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 77 A SuperSO8 5 x 6 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 77 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Infineon
BSZ033NE2LS5ATMA1
od PLN 2,283*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,185Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2...
IXYS
IXTH20N65X2
od PLN 14,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-247 650 V 0.0193 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = NTHL Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0193 ...
onsemi
NTHL019N65S3H
od PLN 86,735*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W P...
Infineon
IPI65R099C6XKSA1
od PLN 17,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 72 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Infineon
BSC0504NSIATMA1
od PLN 2,155*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 73 A DPAK (TO-252) 80 V SMD 0.0096 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 73 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IPD096N08N3GATMA1
od PLN 3,267*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 3,1A; 28W; IPAK SL (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: IPAK SL Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 3,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28W Pola...
Infineon
IPS65R1K5CEAKMA1
od PLN 0,91*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 77 A TO-220 55 V 12 MO (1 Oferta) 
Infineon 55 V, N-CH, maks. 12 MΩ, MOSFET samochodowy, TO-220, OptiMOS™.Tryb rozszerzenia kanału N Motoryzacyjny AEC Q101 MSL1 do 260°C Relow Peak Temperatura pracy: 175°C Pakiet zielony (bez ołowiu...
Infineon
IPP77N06S212AKSA2
od PLN 6,076*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,185Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTP20N65X2M
od PLN 10,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-247 650 V Pojedynczy 595 W 27.4 mΩ (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
onsemi
NTHL027N65S3HF
od PLN 74,146*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W P...
Infineon
IPB65R099C6ATMA1
od PLN 17,55*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 72 A TO-247 600 V Pojedynczy 446 W 36 miliomów (1 Oferta) 
Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET mocy N-kanałowej są częścią serii szybkich diod MDmesh™ DM6. W porównaniu z poprzednią generacją szybkiej technologii MDsiatki, model DM6 łączy bardzo niskie opł...
ST Microelectronics
STWA75N60DM6
od PLN 40,954*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryz...
ST Microelectronics
STFH24N60M2
od PLN 6,78*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   971   972   973   974   975   976   977   978   979   980   981   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.