MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 970/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 71 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.0078 O, 0.0107 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 71 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...

Infineon

ISC0805NLSATMA1

od PLN 5,234*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 16A; 50W; TO220F (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W...

Alpha & Omega Semiconductor

AOTF25S65

od PLN 8,96*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 72 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

BSC096N10LS5ATMA1

od PLN 5,202*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 76 A TDSON 150 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 76 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

BSC110N15NS5ATMA1

od PLN 10,27*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20,2A; 151W; PG-TO220-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 151...

Infineon

IPP65R190C6XKSA1

od PLN 6,62*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 75 A TO-220 55 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

AUIRF3205

od PLN 8,829*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 33A; 171W; PG-TO263-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 171W P...

Infineon

IPB65R065C7ATMA1

od PLN 26,50*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 72 A D2PAK (TO-263) 20 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

AUIRFS4127TRL

od PLN 20,288*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 72 A TO-247-4 650 V 39 m.Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...

ST Microelectronics

STW68N65DM6-4AG

od PLN 40,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 24A; Idm: 96A; 190W; TO220-3 (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polary...

ST Microelectronics

STP33N65M2

od PLN 10,03*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 76 A TO-247-4 600 V 0.037 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 76 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...

Infineon

IPZA60R037P7XKSA1

od PLN 33,148*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20,2A; 151W; PG-VSON-4 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 151W...

Infineon

IPL65R190E6AUMA1

od PLN 7,21*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 75 A TO-220AB 75 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba element...

Infineon

IRF2807ZPBF

od PLN 3,476*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 88mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryza...

ST Microelectronics

STF40N60M2

od PLN 15,69*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 72 A PG-TO 263-3 220 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 220 V Typ opakowania = PG-TO 263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPB156N22NFDATMA1

od PLN 23,464*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 961 962 963 964 965 966 967 968 969 970 971 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 032 ofert spośród 4 840 841 artykułów)

"MOSFET"