Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 958 ofert spośród 4 927 281 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 10,9A; 104,2W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 10,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104,...
Infineon
IPL65R340CFDAUMA1
od PLN 5,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70.6 A PowerPAK SO-8 80 V SMD 0.0065 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70.6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SiR880BDP-T1-RE3
od PLN 2,943*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 16A; 50W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF25S65
od PLN 8,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPI65R280C6XKSA1
od PLN 4,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70.6 A PowerPAK SO-8 80 V SMD 0.0065 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70.6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SiR880BDP-T1-RE3
od PLN 6 027,72*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32...
IXYS
IXTA20N65X
od PLN 20,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A DO-247G 600 V 0.058 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DO-247G Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
ROHM Semiconductor
R6070JNZ4C13
od PLN 39,078*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 102A; 1040W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 450ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 102A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...
IXYS
IXTX102N65X2
od PLN 51,29*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 701 A PowerPAK 8 x 8L 40 V SMD 0.00053 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 701 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SQJQ140E-T1_GE3
od PLN 6,627*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,8 A POWERPAK SC-70W-6L 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = POWERPAK SC-70W-6L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów...
Vishay
SQA410CEJW-T1_GE3
od PLN 2,535*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 701 A PowerPAK 8 x 8L 40 V SMD 0.00053 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 701 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SQJQ140E-T1_GE3
od PLN 6,073*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 63W; TO220FP; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63...
IXYS
IXTP20N65XM
od PLN 20,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A PowerDI3333-8 80 V SMD 0.0069 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = DMTH8008LFGQ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Diodes
DMTH8008LFGQ-7
od PLN 2,732*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB65R310CFDATMA1
od PLN 4,97*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFU7546PBF
od PLN 152,925*
za 75 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   961   962   963   964   965   966   967   968   969   970   971   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.