Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 031 ofert spośród 4 841 557 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1
od PLN 1,574*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A Urządzenie HiP247 1700 V 1.66 Ω (1 Oferta) 
MOSFET SiCMOSFET z węglika krzemu STMicroelectronics jest produkowany z wykorzystaniem Advanced, innowacyjnych właściwości materiałów o szerokich przepustach. Powoduje to niedoścignięcie oporu na j...
ST Microelectronics
SCT1000N170
od PLN 46,105*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 22,4A; 195,3W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 22,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 195...
Infineon
IPP65R150CFDXKSA1
od PLN 13,27*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,7 A DPAK (TO-252) 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
IRLR014PBF
od PLN 1,535*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70.2 A PowerPAK SO-8 150 V SMD 0.01 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70.2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = N-Channel 150 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dre...
Vishay
SiR578DP-T1-RE3
od PLN 5,24*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A SuperSO8 5 x 6 80 V SMD 0.0074 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
IAUC70N08S5N074ATMA1
od PLN 4,048*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 8,5A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4266E
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,2 A IPAK (TO-251) 650 V 1 O. (1 Oferta) 
Infineon CoolMOS to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. CoolMOS CE to z...
Infineon
IPS65R1K0CEAKMA2
od PLN 0,971*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 22,4A; 195,3W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 22,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 195...
Infineon
IPB65R150CFDATMA1
od PLN 8,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,7 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 25 W 280 miliomów (1 Oferta) 
MOSFET, kanał N, od 60 V do 90 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRLR014TRPBF
od PLN 9,42*
za 5 szt.
 
 opakowania
Infineon
IPI040N06N3GXKSA1
od PLN 3,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 71 A IPAK (TO-251) 60 V 0.0079 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 71 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0079...
Infineon
IRFU7546PBF
od PLN 3,204*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A TO-220AB 40 V 0.047 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
ROHM Semiconductor
RX3G07CGNC16
od PLN 3,167*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,2 A TO-220 950 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = TO-220 Liczba styków = 3
Infineon
SP005547011
od PLN 2 003,17*
za 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 22A; 390W; TO220AB; 145ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 145ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 39...
IXYS
IXFP22N65X2
od PLN 11,36*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   951   952   953   954   955   956   957   958   959   960   961   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.