Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 031 ofert spośród 4 841 557 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 7 A D2PAK (TO-263) SMD Pojedynczy 70 W 630 mΩ (2 ofert) 
To urządzenie jest N-kanałowym tranzystorem MOSFET mocy opartym na innowacyjnej technologii procesu pionowego MDmesh™ M5 w połączeniu z dobrze znanym układem poziomym PowerMESH™. Produkt ten charak...
ST Microelectronics
STB43N65M5
od PLN 22,956*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A TSOP-6 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TSOP-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
Vishay
SQ3426CEV-T1_GE3
od PLN 2 118,00*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 5,3A; Idm: 30A; 1,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 5,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyj...
Diodes
DMN6040SSDQ-13
od PLN 0,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,5 A PowerPAK SO-8 100 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SIR698DP-T1-GE3
od PLN 2,05*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 1,81 W 210 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja ...
onsemi
NCV8406BDTRKG
PLN 2,978*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPP65R280E6XKSA1
od PLN 5,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,1 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 2 W 55 miliomów (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren...
Diodes
DMN6040SE-13
od PLN 0,531*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,8 A POWERPAK SC-70W-6L 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = POWERPAK SC-70W-6L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów...
Vishay
SQA410CEJW-T1_GE3
od PLN 2,535*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 50A; 125W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyjna Moc rozpra...
onsemi
FDD14AN06LA0-F085
od PLN 3,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: VSONP8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 77W Polaryzacj...
Texas Instruments
CSD18534Q5AT
od PLN 4,49*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.665 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...
ROHM Semiconductor
R6507KND3TL1
od PLN 2,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 32W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32W Po...
Infineon
IPA65R280E6XKSA1
od PLN 4,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,2 A SOT-223 30 V SMD Pojedynczy 3 W 0.035 Ω (1 Oferta) 
Tryb powiększenia N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor. Tranzystory FET (ang. Field Effect Transistors) trybu poprawy są produkowane przy użyciu zastrzeżonej technologii DMOS firmy Fairchild, ...
onsemi
NDT451AN
od PLN 7 035,84*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 7,8 A TSOP-6 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = TSOP-6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SQ3456CEV-T1_GE3
od PLN 0,785*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 58A; 110W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
TK58E06N1,S1X
od PLN 2,75*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   951   952   953   954   955   956   957   958   959   960   961   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.