Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 031 ofert spośród 4 841 557 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 7,2 A TO-220 FP 650 V 1 omów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1 ...
Infineon
IPA65R1K0CEXKSA1
od PLN 2,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 11A; 125W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FCP11N60
od PLN 7,24*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A TO-220 FP 800 V 0.25 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma typ FULLPAK typu Thin-Lead TO-220 z prądem odpływowym 7 A.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i przew...
Vishay
SIHA17N80AE-GE3
od PLN 4,917*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,6 A TO-220 FP 500 V 500 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 50...
Infineon
IPAN50R500CEXKSA1
od PLN 2,675*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,3 A SOT-23 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3
Nexperia
PMV13XNEAR
od PLN 2,185*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 69,4 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 69,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Ro...
Vishay
SIS184LDN-T1-GE3
od PLN 3,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A TO-220 FP 850 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Typ opakowania = TO-220 FP Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Vishay
SIHA21N80AEF-GE3
od PLN 7,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,7 A DPAK (TO-252) 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
IRFR120PBF
od PLN 1,628*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 48A; 100W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W Polaryzacja: unipola...
onsemi
NDP6060L
od PLN 8,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,4 A TO-220 FP 700 V 0.95 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ CE Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IPAW70R950CEXKSA1
od PLN 2,237*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 50A; 115W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W Polaryzacja: unipolarny...
onsemi
FDD13AN06A0
od PLN 4,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 69.3 A PowerPAIR 3 x 3S 30 V SMD 0.00856 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 69.3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SiZ340BDT-T1-GE3
od PLN 5,135*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 270ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 180W...
IXYS
IXTP12N65X2
od PLN 7,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A TO-252 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
R6007END3TL1
od PLN 2,949*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,5 A MLPAK33 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = MLPAK33 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Nexperia
PXN018-30QLJ
od PLN 2,84*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   951   952   953   954   955   956   957   958   959   960   961   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.