Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 031 ofert spośród 4 841 557 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 188mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryz...
ST Microelectronics
STF25N60M2-EP
od PLN 6,98*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,4 A TO-263-7 1700 V SMD 650 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Seria = IMBF1 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
IMBF170R650M1XTMA1
od PLN 10 760,03*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 8,5A; Idm: 85A; 2,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 8,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,1W Polaryza...
Diodes
DMT6011LSS-13
od PLN 0,82*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A DO-247G 600 V 0.058 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DO-247G Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
ROHM Semiconductor
R6070JNZ4C13
od PLN 40,737*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA040N06NM5SXKSA1
od PLN 3,107*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,7 A PG-TO252-3 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSO220N03MDGXUMA1
od PLN 1,097*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A SOT-223 800 V SMD 0.75 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPN80R750P7ATMA1
od PLN 3,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,5 A SO-8 60 V SMD Pojedynczy 2,5 W 21 miliomów (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET Power to najnowszy proces produkcji układu STMicroelectronic, który został opracowany w oparciu o pasek ″Single Feature Size™″. Powstały tranzystor charakteryzuje się niezwykle wy...
ST Microelectronics
STS7NF60L
PLN 3,611*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A PQFN 5 x 6 40 V SMD 0.0059 Ω (1 Oferta) 
Dwukanałowy tranzystor MOSFET HEXFET mocy Infineon w obudowie PQFN 5 x 6 L umożliwia stosowanie lawiny do Tjmax. Ma dużą szybkość przełączania i jest bezawiodona.Jest zgodny z RoHS Temperatura dzia...
Infineon
AUIRFN8459TR
od PLN 6,455*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 59A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: ...
NTE Electronics
NTE2996
od PLN 8,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,8 A POWERPAK SC-70W-6L 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = POWERPAK SC-70W-6L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów...
Vishay
SQA410CEJW-T1_GE3
od PLN 0,955*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7 A ThinPAK 5 x 6 800 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na uk...
Infineon
IPLK80R750P7ATMA1
od PLN 4,438*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 2,5A; Idm: 16A; 77W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 77W Polaryzacja: unipo...
Bridgelux
BXP4N65U
od PLN 0,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 7,5 A TO-220 FP 800 V 0.205 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = E Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.205 Ω M...
Vishay
SIHA21N80AE-GE3
od PLN 6,422*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP80N06S2L07AKSA2
od PLN 7,98*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   951   952   953   954   955   956   957   958   959   960   961   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.