Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 12A; 33,2W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33,2W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
12N65
od PLN 1,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 71 A IPAK (TO-251) 60 V 0.0079 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 71 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0079...
Infineon
IRFU7546PBF
od PLN 3,214*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,185Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2...
IXYS
IXTP20N65X2
od PLN 10,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.0055 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
Vishay
SQJ146EP-T1_GE3
od PLN 1,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 16,6A; 151W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 16,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 151W...
Infineon
IPL65R210CFDAUMA1
od PLN 7,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 74 A DFN 80 V SMD Dwa 3,1 W 8,8 milioma (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 3 x 3 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja końcówek...
onsemi
NVMFD6H840NLT1G
od PLN 7,476*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD65R950CFDATMA1
od PLN 3,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70.6 A PowerPAK SO-8 80 V SMD 0.0065 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70.6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SiR880BDP-T1-RE3
od PLN 6 043,14*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,1A; 104W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W...
Infineon
IPL65R310E6AUMA1
od PLN 5,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 71 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 50 W 5,3 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 71 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NVMYS5D3N04CTWG
od PLN 2,948*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32...
IXYS
IXTH20N65X
od PLN 23,65*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 75 A TO-220 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba element...
Infineon
IRFB7546PBF
od PLN 1,849*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 17,5A; 34W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 17,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Po...
Infineon
IPA65R190CFDXKSA1
od PLN 10,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 74.3 A TO-220 150 V 0.0109 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 74.3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = NTP Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0109...
onsemi
NTP011N15MC
od PLN 4,076*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 3,9A; Idm: 28A; 46W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 46W Polaryzacja: unip...
Bridgelux
BXP7N65CF
od PLN 1,41*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   961   962   963   964   965   966   967   968   969   970   971   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.