Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 70 A TO-220AB 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
RX3L07BGNC16
od PLN 5,235*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 10A; 27,5W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,63Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 27,5W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
10N65
od PLN 1,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A TO-247 650 V Pojedynczy 500 W 33 miliomy (1 Oferta) 
SUPERFET III MOSFET to nowa rodzina tranzystorów MOSFET ON Semiconductor, która wykorzystuje technologię równoważenia obciążenia, która zapewnia wyjątkowo niski stopień oporu i niski poziom naładow...
onsemi
NTHL033N65S3HF
od PLN 44,602*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 18A; 101W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 101W...
Infineon
IPB65R125C7ATMA1
od PLN 12,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 74 A SuperSO8 5 x 6 80 V SMD 0.0072 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 74 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
BSC072N08NS5ATMA1
od PLN 4,123*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,7A; 40W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: uni...
Toshiba
TK14A65W,S5X(M
od PLN 7,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 72 A TO-262 200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elemen...
Infineon
IRFSL4127PBF
od PLN 11 448,67*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH26N65X2
od PLN 29,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A TO-247-4 650 V Pojedynczy 262 W 39 miliomów (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...
ROHM Semiconductor
SCT3030ARC14
od PLN 118,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 11,4A; 104,2W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPW65R310CFDFKSA1
od PLN 6,62*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
ROHM Semiconductor
SCT3030ARC15
od PLN 63,679*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 74,7 A TO-247 950 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 74,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 3
Infineon
SP005547003
od PLN 34,464*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPI65R280E6XKSA1
od PLN 5,67*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 73 A HPSOF8L 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 73 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = HPSOF8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy
onsemi
NTBL045N065SC1
od PLN 23,899*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 70 A TO-247-4L 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
ROHM Semiconductor
SCT3030ARHRC15
od PLN 64,998*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   961   962   963   964   965   966   967   968   969   970   971   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.