Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
Microchip Technology TC4451VOA |
od PLN 10,32*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 4,51*
za szt. |
| |
|
Infineon BSD316SNH6327XTSA1 |
od PLN 0,315*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 15,89*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 1,3 A SOT-323 20 V SMD 0.2 O. (1 Oferta) Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal... |
|
od PLN 0,405*
za szt. |
| |
|
Analog Devices MAX4427CSA+ |
od PLN 19,73*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 1,3 A SOT-323 20 V SMD 0.2 O. (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-323 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren... |
|
od PLN 0,431*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 1.9A, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSH108,215, Ciągły prąd drenu (Id)=1.9 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=15 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=... |
|
od PLN 0,82*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 4,12*
za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 1,3 A SOT-323 20 V SMD 0.2 O. (2 ofert) Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go ideal... |
|
od PLN 0,133*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology TC1412COA |
od PLN 4,12*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,11*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 179,38*
za 50 szt. |
| |
|
Microchip Technology TC1413EOA |
od PLN 4,93*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 10A, PQFN (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFHM8363TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=94 ns, Czas opadania=33 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 3,36*
za szt. |
| |
|
