MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 474/1 532)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET Dual N-kanałowy 8 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = Dual N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...

Vishay

SI9634DY-T1-GE3

od PLN 1,631*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 1A, SOT-23 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=XP151A11B0MR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=1 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=25 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źró...

Torex Semiconductor

XP151A11B0MR-G

od PLN 0,82*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 1,3 A SOT-323 20 V SMD 0.2 O. (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-323 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren...

Diodes

DMN2310UWQ-7

od PLN 0,149*
za szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 4,5A; Ch: 1; 4,5÷18V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 4,5...18V Prąd wyjściowy: 4,5A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 12ns Cza...

Microchip Technology

MCP14A0453-E/SN

od PLN 4,61*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 2.2A, SOT-23 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=FDN337N, Ciągły prąd drenu (Id)=2.2 A, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=4 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=17 ns, Czas opóźnienia włączenia=4 ns, Napięcie bramka-źródło=8 V...

Fairchild

FDN337N

od PLN 2,92*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 1,3 A HVMDIP 100 V Pojedynczy 1,3 W 270 miliomów (1 Oferta)

N-Channel MOSFET, od 100V do 150V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRLD120PBF

od PLN 3,895*
za szt.

Sterownik bramki MOSFET 8-pinowy 12000 ma SOIC MCP14A1202-E/SN 4.5 to 18V (2 ofert)

Układy MCP14A1201/4/5 to dwuwyjściowe sterowniki tranzystorów MOSFET zapewniające prąd szczytowy do 12,0A, zasilane z jednego źródła od 4,5 V do 18 V. Dostępne są dwie konfiguracje wyjść: Odwracani...

Microchip Technology

MCP14A1202-E/SN

od PLN 7,32*
za szt.

Infineon IRF4104 tranzystor 40 V (2 ofert)

Infineon

IRF4104PBF

od PLN 3,18*
za szt.

Infineon BSS306N tranzystor 30 V (3 ofert)

Infineon

BSS306NH6327XTSA1

od PLN 0,319*
za szt.

MOSFET Dual N-kanałowy 6 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = Dual N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = ...

Vishay

SIS9634LDN-T1-GE3

PLN 3,238*
za szt.

Infineon IRF7503 tranzystor 30 V (3 ofert)

Infineon

IRF7503TRPBF

od PLN 0,59*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 1 A DFN1010 20 V SMD 470 MO (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = DFN1010 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-ź...

ROHM Semiconductor

RV8C010UNHZGG2CR

od PLN 0,524*
za szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 2A; Ch: 2; 4,5÷18V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 4,5...18V Prąd wyjściowy: 2A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 20ns Czas ...

Microchip Technology

MCP14E7-E/SN

od PLN 6,86*
za szt.

Infineon BSD316SN tranzystor 60 V (2 ofert)

Infineon

BSD316SNH6327XTSA1

od PLN 0,33*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 200mA, SOT-523 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=XP231N02015R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źró...

Torex Semiconductor

XP231N02015R-G

od PLN 0,44*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 471 472 473 474 475 476 477 478 479 480 481 .. 1532 Dalej

MOSFET (22 968 ofert spośród 4 919 082 artykułów)

"MOSFET"