MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 472/1 532)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 1,5A; Ch: 2; 4,5÷18V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...85°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 4,5...18V Prąd wyjściowy: 1,5A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 19ns Czas...

Microchip Technology

TC4427EOA

od PLN 3,88*
za szt.

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 Oferta)

Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

PLN 3,867*
za szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; -1,5÷1,5A; 0,8÷11,2V (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...85°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 6,1...18V DC Napięcie wyjściowe: 0,8...11,2V Prąd wyjściowy: -1,5...1,5A Typ układu scalonego: driver Cz...

onsemi

MC33152DR2G

od PLN 2,97*
za szt.

MOSFET Dual N-kanałowy 100 A PowerPAK 8 x 8 l 40 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta)

Typ kanału = Dual N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8 l Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Liczba styków = 4 Tryb ka...

Vishay

SQJQ936E-T1_GE3

PLN 5,343*
za szt.

Infineon BSL606SN tranzystor 60 V (2 ofert)

Infineon

BSL606SNH6327XTSA1

od PLN 1,024*
za szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 2A; Ch: 2; 4,5÷18V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 4,5...18V Prąd wyjściowy: 2A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 20ns Czas ...

Microchip Technology

MCP14E8-E/SN

od PLN 6,86*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 1.9A, SOT-23 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=BSH108,215, Ciągły prąd drenu (Id)=1.9 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=15 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=...

NXP

BSH108,215

od PLN 0,83*
za szt.

MOSFET Dual N-kanałowy 8 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = Dual N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...

Vishay

SI9634DY-T1-GE3

PLN 2,112*
za szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 1,5A; Ch: 2; 4,5÷18V (1 Oferta)

Microchip Technology

TC427EOA

od PLN 3,33*
za szt.

Infineon BSC0902NSI tranzystor 30 V (3 ofert)

Infineon

BSC0902NSIATMA1

od PLN 1,74*
za szt.

MOSFET DPAK (TO-252) SMD Pojedynczy 15 W (2 ofert)

Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna strata mocy = 15 W Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Liczba elementów na układ = 1mm Wysokość = 2...

ST Microelectronics

STD1802T4

od PLN 1,074*
za szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 1,2A; Ch: 2; 4,5÷16V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Temperatura pracy: 0...70°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 4,5...16V Prąd wyjściowy: 1,2A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 30ns Czas o...

Microchip Technology

TC1427COA

od PLN 4,75*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 10A, PQFN (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRFHM8363TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=94 ns, Czas opadania=33 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źr...

Infineon

IRFHM8363TRPBF

od PLN 3,36*
za szt.

Infineon BSC0911ND tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

BSC0911NDATMA1

od PLN 2,937*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 13A, SO-8 (4 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7413ZTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=13 A, Czas narastania=6.3 ns, Czas opadania=3.8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=11 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.7 ns, Napięcie bramka-...

Infineon

IRF7413ZTRPBF

od PLN 0,96*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 471 472 473 474 475 476 477 478 479 480 481 .. 1532 Dalej

MOSFET (22 968 ofert spośród 4 919 082 artykułów)

"MOSFET"