MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 479/1 532)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

IC: power switch; high-side; 0,1A; Ch: 1; MOSFET; SMD; SOT23-5 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-5 Napięcie zasilania: 1,8...5,5V Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,79Ω Prąd wyjściowy: 0,1A Typ układu scalonego: power switch Liczba k...

Microchip Technology

MIC2091-2YM5-TR

od PLN 0,91*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 1,7 A IPAK (TO-251) 400 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 400 V Typ opakowania = IPAK (TO-251) Typ montażu = Otwór przezierny

Vishay

IRFU310PBF

od PLN 2,547*
za szt.

IC: driver; sterownik bramkowy MOSFET; SO8; 4,5A; Ch: 1; 4,5÷18V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 4,5...18V Prąd wyjściowy: 4,5A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 12ns Cza...

Microchip Technology

MCP14A0455-E/SN

od PLN 4,61*
za szt.

Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXFP180N10T2 Kanał N Rodzaj obudowy TO-220AB (2 ofert)

Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXFP180N10T2 | Dane techniczne: C(ISS): 10500 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 180 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: IXY · Maksymalna temperatura...

IXYS

IXFP180N10T2

od PLN 15,01*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 62A, TO-220AB (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRLB8721PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=62 A, Czas narastania=93 ns, Czas opadania=17 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=9 ns, Czas opóźnienia włączenia=9.1 ns, Napięcie bramka-źródł...

IRLB8721PBF

od PLN 2,78*
za szt.

Infineon IPU80R4K5P7 tranzystor 800 V (2 ofert)

Infineon

IPU80R4K5P7AKMA1

od PLN 1,557*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 30V, 640mA, TO-92 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=VN0300L-G, Ciągły prąd drenu (Id)=640 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=30 V, ...

Microchip Technology

VN0300L-G

od PLN 4,636*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 1,5 A PICOSTAR 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PICOSTAR Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Texas Instruments

CSD17483F4T

od PLN 2,075*
za szt.

Sterownik bramki MOSFET 8-pinowy SOIC HT0740LG-G 5.5V (2 ofert)

HT0740 to jednokanałowy wysokonapięciowy sterownik izolowany o niskim prądzie wejściowym z technologią HVCMOS®. Służy do zasilania dyskretnych układów MOSFET skonfigurowanych jako przełączniki stro...

Microchip Technology

HT0740LG-G

od PLN 4,794*
za szt.

Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTP260N055T2 Kanał N Rodzaj obudowy TO-220A (2 ofert)

Tranzystor unipolarny (MOSFET) IXYS IXTP260N055T2 | Dane techniczne: C(ISS): 10800 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 260 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: IXY · Maksymalna temperatur...

IXYS

IXTP260N055T2

od PLN 14,44*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 1,7 A U-DFN1212-3 20 V SMD 0.5 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 1,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = U-DFN1212-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja ...

Diodes

DMN2310UFD-7

PLN 0,313*
za szt.

IC: power switch; high-side; 0,1÷0,9A; Ch: 1; MOSFET; SMD; SOT23-6 (3 ofert)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23-6 Napięcie zasilania: 2,5...5,5V Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Prąd wyjściowy: 0,1...0,9A Typ układu scalonego: power switch Li...

Microchip Technology

MIC2009A-1YM6-TR

od PLN 1,473*
za szt.