| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2575793 Nr producenta: IRFHS8242TRPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 8,5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25 V | Typ opakowania: | DFN2020 | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2575793, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRFHS8242TRPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |