Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 869 ofert spośród 5 026 309 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 4,5 A SOT-223 800 V SMD 1.2 omów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dre...
Infineon
IPN80R1K2P7ATMA1
od PLN 1,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A DO-LL-HV 600 V SMD 80 miliomów (2 ofert) 
STMicroelectronics wysokiego napięcia N-kanałowy Power MOSFET jest częścią serii MDmesh DM6 Fast Recovery Diode. W porównaniu z poprzednią generacją MDmesh, DM6 łączy bardzo niski poziom naładowani...
ST Microelectronics
STP50N60DM6
od PLN 11,799*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 11A; 278W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT14N50
od PLN 3,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247-4 1000 V 113,5 W 90 miliomów (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z technologią Carbide silicon, seria C3M, Cree Inc. Nowa technologia MOSFET C3M SiC (SiC) Silicon Carbide Minimum 1000 V Napięcie przebicia źródła w całym zakresie temperatur prac...
Wolfspeed
C3M0065100K
od PLN 46,235*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...
Microchip Technology
APT5018BLLG
od PLN 42,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 38 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 28 W 17,6 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NTMYS010N04CLTWG
od PLN 2,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 2,9A; 40W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFI840GLCPBF
od PLN 3,13*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A SOT-457T 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzen...
ROHM Semiconductor
RTQ045N03HZGTR
od PLN 0,942*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A HU3PAK 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = STHU47 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.75V
ST Microelectronics
STHU47N60DM6AG
od PLN 11 323,122*
za 600 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 11A; 278W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB14N50
od PLN 2,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247AC 650 V 0.08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHG080N60E-GE3
od PLN 7,379*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
Microchip Technology
APT5018SLLG
od PLN 46,94*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 38 A PowerPAIR 3 x 3FDC 60 V SMD 0.0122 Ω, 0.0127 Ω, 0.01811 Ω, 0.01887 Ω (2 ofert) 
Vishay SiZ250DT-T1-GE3 to podwójne tranzystory MOSFET o napięciu 60V (D-S).Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Rg i UIS testowane w 100 % Zoptymalizowany stosunek QGS/QGS poprawia przełączani...
Vishay
SiZ250DT-T1-GE3
od PLN 9,055*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 4,5 A TO-220 800 V 1.2 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Infineon 800V CoolMOS™ P7 o zasilaniu N Superwęzeł serii MOSFET CoolMOS™ P7 800V to idealne rozwiązanie do zastosowań SMPS o niskim zapotrzebowaniu na energię, w pełni zas...
Infineon
IPP80R1K2P7XKSA1
od PLN 3,664*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 37 W 21,5 miliomy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NVMYS014N06CLTWG
od PLN 5,61*
za 5 szt.
 
 opakowania
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   801   802   803   804   805   806   807   808   809   810   811   ..   1525   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.