Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 907 907 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
IRF40SC240ARMA1
od PLN 7,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 12,9A; Idm: 80A; 250W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 12,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: uni...
onsemi
FDP20N50F
od PLN 7,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD 80 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPB60R080P7ATMA1
od PLN 11,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 40A; 25W; TO251A (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO251A Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AOI4184
od PLN 1,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 1200 V 0,06 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0...
Infineon
AIMW120R060M1HXKSA1
od PLN 85,207*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 0,2A; 25W; TO220AB; 5ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 5ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Po...
IXYS
IXTP02N50D
od PLN 13,10*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.0169 O, 0.0219 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
ISZ0803NLSATMA1
od PLN 1,721*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 1,8A; Idm: 12A; 62W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQP3N50C-F080
od PLN 2,88*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 362 A D2PAK - 7 styków 40 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 362 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = D2PAK - 7 styków Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IRFS7434TRL7PP
od PLN 5,708*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,299Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W...
Infineon
IPB50R299CPATMA1
od PLN 5,11*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A TO-220 600 V 80 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IPP60R080P7XKSA1
od PLN 11,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 40A; 25W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB4184
od PLN 1,95*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 900 V Pojedynczy 125 W 78 mΩ (1 Oferta) 
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSF. Wolfspeed Z-FET™, C2M™ i C3M™ Silicon Carbide MOSFET. Seria tranzystorów MOSFET SiC drugiej generacji firmy Cree z działu zasilania firmy Wolfspeed, które zape...
Wolfspeed
C3M0065090D
od PLN 61,059*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 0,8A; 60W; TO252; 11ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 11ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Po...
IXYS
IXTY08N50D2
od PLN 5,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.0169 O, 0.0219 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
ISC0803NLSATMA1
PLN 1,913*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   801   802   803   804   805   806   807   808   809   810   811   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.