|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1684886 Nr producenta:
C3M0065100K EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Tranzystor MOSFET z technologią Carbide silicon, seria C3M, Cree Inc. Nowa technologia MOSFET C3M SiC (SiC) Silicon Carbide Minimum 1000 V Napięcie przebicia źródła w całym zakresie temperatur pracy Nowy pakiet niskiej impedancji ze źródłem sterownika 8 mm przesączenia/szczeliny pomiędzy Odlewem i źródłem Szybkie przełączanie z niską pojemnością wyjściową Wysokie napięcie blokujące przy niskiej odporności na skalanie Odporność lawinowy Szybka dioda wewnętrzna z niskim odzyskiwaniem do tyłu Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 35 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1000 V | Typ opakowania: | TO-247-4 | Seria: | C3M | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 90 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Minimalne napięcie progowe VGS: | 1.8V | Maksymalna strata mocy: | 113,5 W | Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -8 V, +19 V | Długość: | 16.13mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 1684886, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Wolfspeed, C3M0065100K |
| | |
| |