Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 907 907 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NEXPERIA Montaż: SMD...
Nexperia
PSMN4R0-40YS,115
od PLN 2,33*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-220 650 V Pojedynczy 272 W 95 miliomów (1 Oferta) 
SUPERFET III MOSFET marki ON Semiconductor to zupełnie nowa rodzina elementów MOSFET SJ wysokiego napięcia, która korzysta z technologii równoważenia obciążenia, aby zapewnić doskonałą rezystancję ...
onsemi
NTP095N65S3HF
PLN 12,492*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 37 W 21,5 miliomy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NTMYS014N06CLTWG
od PLN 3,075*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 1,6A; 100W; TO220AB; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100...
IXYS
IXTP1R6N50D2
od PLN 6,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 1200 V 60 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = IMW1 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 60 m.Ω...
Infineon
IMW120R060M1HXKSA1
od PLN 35,596*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD 0.0265 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
AUIRF540ZSTRL
od PLN 7,122*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 8A; 1,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W Pola...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4484
od PLN 0,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 1200 V 0,06 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Infineon
AIMW120R060M1HXKSA1
od PLN 76,378*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 450V; 0,2A; 1,6W; SOT89-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT89-3 Napięcie dren-źródło: 450V Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipolarn...
Microchip Technology
DN3545N8-G
od PLN 4,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A PQFN4 8 x 8 650 V SMD 0.09 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor SUPERFET III ma rodzinę tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, która wykorzystuje technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na o...
onsemi
NTMT090N65S3HF
od PLN 17,972*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 1,9A; 45W; IPAK; ESD (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STD4NK50Z-1
od PLN 1,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36,2 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SIS4608LDN-T1-GE3
od PLN 2,631*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TSDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W ...
Infineon
BSZ105N04NSGATMA1
od PLN 0,81*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A DO-LL-HV 600 V SMD 80 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DO-LL-HV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dre...
ST Microelectronics
STP50N60DM6
od PLN 18,635*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 90A; 63W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Po...
Infineon
IPC90N04S5-3R6
od PLN 1,86*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   801   802   803   804   805   806   807   808   809   810   811   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.