Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 358 A Taca 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 358 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Taca Typ montażu = Montaż na śrubie
ROHM Semiconductor
BSM400C12P3G202
od PLN 13 741,72*
za 4 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 40A; 25W; TO251A (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO251A Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AOI4184
od PLN 1,33*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A HSOP8 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RS6R035BHTB1
od PLN 5,354*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 270A; 125W; DirectFET (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DirectFET Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 270A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania:...
Infineon
IRF7739L2TRPBF
od PLN 41 869,28*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 350 mA TO-39 90 V Pojedynczy 6,25 W 5 omów (2 ofert) 
2N6661 to tranzystor trybu wzmocnienia (normalnie wyłączony), w którym zastosowano pionową strukturę DMOS oraz sprawdzony proces produkcji bramek krzemowych. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwo...
Microchip Technology
2N6661
od PLN 53,484*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Czas gotowości: 45ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W...
IXYS
IXTA220N04T2-7
od PLN 16,66*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A HSOP8 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RS6R035BHTB1
od PLN 3,918*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A 3 x 3FS 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = 3 x 3FS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 12 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...
Vishay
SIZF4800LDT-T1-GE3
od PLN 13 414,89*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 35 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 28 W 12 miliomów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NVMYS011N04CTWG
od PLN 2,458*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 48ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 270A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W...
IXYS
IXTP270N04T4
od PLN 9,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 358 A Moduł 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 358 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na śrubie
ROHM Semiconductor
BSM600D12P3G001
od PLN 5 610,303*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 230A; 340W; TO220AB; 32ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 32ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 230A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 340W...
IXYS
IXTP230N04T4
od PLN 7,83*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A LFPAK, SOT-669 40 V SMD Pojedynczy 28 W 12 miliomów (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie DPAK z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Tranzystory MOSFET...
onsemi
NVMYS011N04CTWG
od PLN 6,465*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 36 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD Pojedynczy 37 W 21,5 miliomy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
onsemi
NTMYS014N06CLTWG
od PLN 3,065*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A PQFN 5 x 6 150 V SMD 13,2 mΩ (1 Oferta) 
Seria ON SEMICONDUCTOR Power Trench 150V N-Channel MV MOSFET jest wytwarzana przy użyciu procesu Advanced, który wykorzystuje technologię ekranowanej bramki. Proces ten został zoptymalizowany w cel...
onsemi
NTMFS011N15MC
od PLN 19,128*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   801   802   803   804   805   806   807   808   809   810   811   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.