MOSFET N-kanałowy 35 A HSOP8 150 V SMD

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2606165

Producent:
ROHM Semiconductor

Nr producenta:
RS6R035BHTB1

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V
Typ opakowania = HSOP8
Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Dalsze informacje:


Typ kanału:	N
Maksymalny ciągły prąd drenu:	35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:	150 V
Typ opakowania:	HSOP8
Typ montażu:	Montaż powierzchniowy

Dalsze słowa kluczowe: 2606165, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, ROHM, RS6R035BHTB1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 3,918*

Cena obowiązuje od 1 250 000 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 2500 szt.	PLN 4,038*	PLN 4,967	za szt.
od 5000 szt.	PLN 4,028*	PLN 4,954	za szt.
od 12500 szt.	PLN 3,968*	PLN 4,881	za szt.
od 25000 szt.	PLN 3,928*	PLN 4,831	za szt.
od 1250000 szt.	PLN 3,918*	PLN 4,819	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.