Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 840 918 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 360 A TO-247 650 V 0.024 Ω (1 Oferta) 
Superwęzeł MOSFET Infineon CoolMOS CFD7 IPW60R024CFD7 w wersji 600 V idealnie nadaje się do topologii dźwiękowych w systemach SMPS o dużej mocy, takich jak serwery, telekomunikacja i stacje ładowan...
Infineon
IPW60R024CFD7XKSA1
od PLN 39,882*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA028N04NM3SXKSA1
od PLN 4,13*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247-4 1000 V 113,5 W 90 miliomów (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z technologią Carbide silicon, seria C3M, Cree Inc. Nowa technologia MOSFET C3M SiC (SiC) Silicon Carbide Minimum 1000 V Napięcie przebicia źródła w całym zakresie temperatur prac...
Wolfspeed
C3M0065100K
od PLN 66,852*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A SOT-23 40 V SMD 0.036 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Vishay
SQ2318AES-T1_GE3
od PLN 0,701*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 1200 V 0,06 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0...
Infineon
AIMW120R060M1HXKSA1
od PLN 86,956*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247AC 650 V 0.08 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHG080N60E-GE3
od PLN 12,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FDP8447L
od PLN 2,81*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 365 A PG-HDSOP-16 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 365 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-HDSOP-16 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Liczba elementów na u...
Infineon
SP005731291
od PLN 20,024*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF40R207
od PLN 1,233*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247AC 650 V 0.08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHG080N60E-GE3
od PLN 11,552*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 900 V Pojedynczy 125 W 78 mΩ (1 Oferta) 
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSF. Wolfspeed Z-FET™, C2M™ i C3M™ Silicon Carbide MOSFET. Seria tranzystorów MOSFET SiC drugiej generacji firmy Cree z działu zasilania firmy Wolfspeed, które zape...
Wolfspeed
C3M0065090D
od PLN 60,769*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 340A; 480W; TO263; 43ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 43ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W P...
IXYS
IXTA340N04T4
od PLN 12,04*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-263 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SIHB080N60E-GE3
od PLN 12,526*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 56A; 94,3W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża mo...
Nexperia
BUK7Y7R6-40EX
od PLN 2,24*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A PQFN 3 x 3 100 V SMD 0.0169 O, 0.0219 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
ISZ0803NLSATMA1
od PLN 3,107*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   801   802   803   804   805   806   807   808   809   810   811   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.