Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-23 60 V SMD 5 Ω (1 Oferta) 
Ten mały sygnał MOSFETIS Infineon SIPMOS idealnie nadaje się do zastosowań motoryzacyjnych i/lub innych niż motoryzacyjne. Można je znaleźć w niemal wszystkich zastosowaniach, np. w ochronie akumul...
Infineon
SN7002NH6327XTSA2
od PLN 0,295*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 156A; 600W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 156A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFR230N20T
od PLN 72,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.00099 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SUM40014M-GE3
od PLN 6,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A LFPAK8 40 V SMD Pojedynczy 110 W 2,2 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...
onsemi
NTMJS1D5N04CLTWG
od PLN 4,442*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 880mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT14M100B
od PLN 30,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 201 A PG-TO263-3 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 201 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPB011N04NF2SATMA1
od PLN 6,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 21A; Idm: 124A; 200W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 82mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja:...
NTE Electronics
NTE2915
od PLN 23,10*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-723 50 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = SOT-723 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RYM002N05T2CL
od PLN 0,237*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 17,8A; Idm: 112A; 50W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 17,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 82mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQPF32N20C
od PLN 5,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A D2PAK 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = D2PAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Texas Instruments
CSD18536KTTT
od PLN 20,343*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 607ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 695W...
IXYS
IXTH16N20D2
od PLN 44,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A PG-HSOF-5 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-HSOF-5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IAUA200N04S5N010AUMA1
od PLN 4,315*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 9A; Idm: 56A; 500W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 980mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT14F100S
od PLN 36,33*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 201 A TO-220 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 201 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Infineon
SP005561927
od PLN 6,798*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFR4620TRLPBF
od PLN 2,75*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   691   692   693   694   695   696   697   698   699   700   701   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.