MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 698/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 55W; DPAK (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 55W Polaryzacja: unipolar...

onsemi

FQD12N20TM

od PLN 1,60*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 21 A PowerPAK 10 x 12 650 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...

Vishay

SIHK125N60E-T1-GE3

od PLN 14,366*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 21 A TO-220AB 600 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...

Vishay

SIHP155N60EF-GE3

od PLN 11,412*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 6,8A; Idm: 72A; 40W; TO220F (1 Oferta)

Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 6,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacj...

NTE Electronics

NTE2944

od PLN 9,74*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 21 A SO-8 30 V SMD 0.0035 Ω (2 ofert)

Seria MOSFET mocy HEXFET Infineon ma maksymalne napięcie źródła spustu 30 V w OBUDOWIE SO-8. Ma zastosowanie jako synchroniczny MOSFET do zasilania procesora notebooka i synchronicznego prostownika...

Infineon

IRF8734TRPBF

od PLN 6,47*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 118ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W...

IXYS

IXTP60N20T

od PLN 13,99*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 205 A PG-TTFN 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 205 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TTFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IQE013N04LM6CGATMA1

od PLN 6,826*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 21 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm 30 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PQFN 3,3 mm x 3,3 mm Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

IRFHM830TRPBF

od PLN 1,984*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 21 A TO-247AC 600 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Li...

Vishay

SIHG155N60EF-GE3

od PLN 21,998*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 330ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Po...

IXYS

IXTQ60N20L2

od PLN 49,43*
za szt.

Infineon BSC520N15NS3 G tranzystor 100 V (1 Oferta)

Infineon

BSC520N15NS3GATMA1

od PLN 2,524*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 118ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W P...

IXYS

IXTA60N20T

od PLN 12,06*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 205 A WHSON 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 205 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = WHSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...

Infineon

SP005559052

od PLN 8,253*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 21 A SO-8 30 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

IRF7862TRPBF

od PLN 2,032*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 230A; 1670W; TO264 (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 230A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W Polaryzacja: unipola...

IXYS

IXFK230N20T

od PLN 72,56*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 691 692 693 694 695 696 697 698 699 700 701 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 035 ofert spośród 4 840 987 artykułów)

"MOSFET"